充电 v.s. 放电
充电 v.s. 放电
充电 v.s. 放电
Solid State Drive (1991)
存储介质的致命的缺陷
磁:机械部件 (无法避免的 ms 级延迟)
坑 (光):挖坑效率低、填坑很困难
我们想要的是
电子的密度、电路的速度
!
Flash Memory “闪存”
如何在电路中持久 1-bit?
挖个坑
把电子填进去 = 一个状态
把电子放跑 = 另一个状态
充电 v.s. 放电
1-Bit Flash Memory
充电 v.s. 放电
闪存:作为存储设备的分析
存储特性
价格
低
:大规模集成电路
容量
高
可靠性
高
:集成电路封装,不怕摔
读写性能
极高
,而且有极高的扩展性 (电路是天然并行的)
极为离谱的优点:
容量越大,速度越快
应用场景
Tape is Dead, Disk is Tape, Flash is Disk, RAM Locality is King (Gim Gray, 2006)
充电 v.s. 放电
开启 “优盘” 时代 (1999)
充电 v.s. 放电
但是!Flash Memory 会 Wear Out
放电 (erase) 做不到 100% 放干净
放电
数千/数万次
以后,就好像是 “充电” 状态了
Dead cell; “wear out”
有没有感觉有点害怕?
我竟然还在用优盘给大家上课?
很多文件应该写了上千次了?
充电 v.s. 放电
答案:软件定义磁盘
你的 SSD、优盘,甚至是 TF 卡里都藏了
完整的计算机系统
FTL: Flash Translation Layer
“Wear Leveling”: 用软件使写入变得 “均匀” (虚拟内存)
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Flash Disk 与 NAND Flash
优盘, SD 卡, SSD 都是 NAND Flash
但软件/硬件系统的复杂程度不同,效率/寿命也不同
典型的 SSD
CPU, on-chip RAM, 缓存, store buffer, 操作系统 ...
寿命: ~1 PB 数据写入 (~1,000 年寿命)
SD 卡/TF 卡
标准没有规定必须内置 FTL
但良心厂家依然有
ARM 芯片
充电 v.s. 放电
结论:一定不要买过度便宜的优盘!
更不要保存重要数据
还记得什么是 “设备” 吗?
设备是可以 “伪造” 的
可以假装成另一个厂商的设备
甚至可以伪造容量
超过容量的部分自动丢弃了
充电 v.s. 放电
奸商什么事都干得出来
学了《操作系统》,你也可以当奸商
挣钱的途径写在《刑法》第一百四十条【生产、销售伪劣产品罪】:生产者、销售者在产品中掺杂、掺假,以假充真,以次充好或者以不合格产品冒充合格产品